경북 수출지원 해외 서포터즈 / 임지연(중국) 

지난 5월 27일, 중국의 대표적인 포털 사이트인 바이두와 다양한 온라인 플랫폼에서는 '제3차 국가집적회로산업투자기금(国家集成电路产业投资基金, 이하 기금)'에 대한 소식이 큰 화제를 모았다. 한동안 잠잠했던 중국 국내 반도체 산업 조성이라는 주제가 다시 한번 주목받은 것이다. 중국 당국은 이번 제3차 기금을 발표하며 ‘과학 기술이 발전할수록 국가가 강해진다’는 명제를 강조하고, 반도체 산업의 국내화를 위한 대규모 기금 조성 및 투자를 공개했다. 이는 2014년 중국 국무원이 발표한 '국가집적회로산업 발전추진개요'를 기본 전략으로 하는 후속 조치로, 공업정보화부와 재정부가 공동으로 빠르게 진행 중인 대표적인 반도체 국산화 사업이다.

이번 제3차 기금의 규모는 무려 3,440억 위안(약 65조 원)으로, 최근 미국을 중심으로 한 국제 사회의 대중국 반도체 제재에 대응하기 위한 장기 발전 전략으로서 큰 의미를 갖고 있다. 이는 2014년 9월 최초로 마련된 제1차 기금의 987억 2,000만 위안(약 19조 원)과 비교해 크게 증가한 금액이다. 또한, 2019년 10월에 조성된 제2차 기금의 2,041억 5,000만 위안(약 38조 원)보다도 상당히 큰 규모이다.

1차와 2차 기금은 반도체 핵심 장비 및 부품 투자와 중국 국내 시장의 산업 협력 발전에 집중하여, 국내외 기술 격차를 줄이는 데 주력했다. 실제로, 1차와 2차 펀드는 주로 반도체 장비와 재료 분야에 집중된 반면, 이번 3차 기금은 HBM(고대역폭메모리)과 같은 고부가가치 D램 반도체를 주요 투자 대상으로 삼고 있다. 그 결과 중국은 국내 반도체 시장의 수요 증가와 함께 국내 기술로 독립적인 생산이 가능한 수준까지 도달하여, 선진국과의 기술 격차를 상당히 줄였다는 평가를 받고 있다.

중국 당국의 반도체 국산화 ‘굴기’ 전략이 빠르게 진행 중이다. 

(출처: 바이두(百度) 이미지DB)

제3차 국가집적회로산업투자기금(국가기금)의 등록 자본금은 무려 3,440억 위안(약 65조 원)으로 공개되었다. 이는 이전의 1차 및 2차 기금 펀드 총액을 모두 합한 것보다 더 큰 규모이다. 특히 이번 제3차 펀드에는 중국 재정부 등 중앙부처와 궈카이진룽유한책임회사(国开金融有限责任公司), 중이즈번유한책임회사(中移资本控股有限责任公司) 등 국유기업이 참여해 주목받았다.

이번 펀드 마련에는 중국의 주요 6대 국유 은행, 즉 중국은행, 우정저축은행, 건설은행, 공상은행, 교통은행, 농업은행이 출자주주로 참여했다. 이들 6대 국유 은행이 기금 펀드에 직접 참여한 것은 이번이 처음으로, 이들이 출자한 금액은 전체 출자금의 약 3분의 1인 33.14%에 달한다. 중국은행과 농업은행, 공상은행, 건설은행은 각각 215억 위안을, 교통은행은 200억 위안을, 우정저축은행은 80억 위안을 투자했다. 이 자금은 펀드 등록일로부터 10년 이내에 지불을 완료할 예정이다. 이는 중국 정부가 반도체 국내화에 얼마나 큰 중요성을 두고 있는지를 잘 보여준다.

서우촹증권은 "국가적 차원의 대대적인 지원으로 반도체 국산화가 빠르게 진행되고 있다"며, "향후 반도체 설비와 소재 분야에서 비약적인 발전이 이뤄질 것이며, 이미 기술 혁신을 이룬 분야는 더욱 혁신에 속도를 낼 것"이라고 평가했다. 또한, 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 2025년을 기준으로 중국 본토의 8인치 반도체 웨이퍼 신규 생산 능력이 66% 증가할 것으로 전망했다.

중국 당국의 반도체 국산화 ‘굴기’ 전략이 빠르게 진행 중이다. 

(출처: 바이두(百度) 이미지DB)

반도체 국산화 전략의 배경

중국 당국의 발 빠른 움직임 배경에는 미국을 중심으로 한 전 세계 반도체 생산 설비 국가들의 대중국 제재가 있다. 실제로 미국 바이든 정부는 지난해 9월부터 엔비디아 첨단 AI 칩의 대중국 공급 제한을 시작으로, 미국 중심의 반도체 공급망을 구축하기 위한 소위 '칩4동맹'을 제안하며 한국, 일본, 대만과의 협력을 강화했다. 또한, 반도체법을 통해 미국에 투자하는 반도체 기업에 보조금을 지급하면서, 그 대신 중국에 대한 반도체 칩 및 생산설비 수출을 제한하여 중국에 대한 반도체 기술 제한을 강화했다. 이러한 미국의 제재에 대해 중국 현지 매체들은 ‘미국이 반도체 기술과 무역에 큰 장벽을 세워 중국의 과학 기술 혁신을 원천 봉쇄하려 한다’고 강하게 비판해왔다.

특히 현지 매체들은 반도체를 둘러싼 미국과 중국의 대립이 오히려 중국 내 반도체 굴기를 촉진하는 동력이 되고 있다는 해석을 내놓기도 했다. 거시적 관점에서 보면, 미국의 대중국 반도체 기술 제재는 중국 반도체 산업의 국내화 기술을 크게 촉진하고, 중국 당국의 과학 기술 혁신에 대한 확고한 결의를 보여줄 기회가 되었다는 평가를 받고 있다. 중국의 4대 증권사 중 하나인 중항증권은 ‘미국 등 반도체 선진국들의 중국 시장 제재가 오히려 중국 국내 반도체 산업에 더 많은 자본과 투자, 연구 개발 동력을 불러왔다’며 ‘국내 기술의 지속적인 혁신과 발전은 국내 반도체 산업 체인에 새로운 바람과 성장 기회를 가져올 것’이라고 평가했다.

지난 2022년 중국 안후이성에서 열린 중국 국제반도체박람회 모습. 

(출처: 소후닷컴)

실제로 중국 반도체 웨이퍼 제조기업들은 핵심 원료와 화학물질의 국산화를 빠르게 추진 중인 것으로 알려져 있다. 중신궈지(SMIC)와 창신메모리(CXMT) 등은 반도체 웨이퍼 제조설비뿐만 아니라 100여 개에 이르는 화학물질, 원료, 가스 등도 중국 본토 제품으로 대체하고 있다. 중국 정부는 자국 반도체 제조업체들이 자국산 원료와 화학물질을 사용하는 것에 대해 보조금을 지급하고, 자국 공급업체의 웨이퍼 공장을 이용하는 것에 대해서도 보상을 제공하여 자국 웨이퍼 원료 공급업체의 성장을 독려하고 있다.

또한, 중국 내에서는 웨이퍼 제조기업들이 설비나 원부재료 채택 시 샘플 제공과 검증에 있어 두 번의 기회만을 제공하던 관행이 있었으나, 외국 제품 의존도를 줄이는 과정에서 자국 공급업체들에게 거의 무제한적인 기회를 제공하고 있다.

미국의 IT•기술 전문 매체인 '톰스하드웨어(Tom’s Hardware)'는 지난 5월 보도를 통해, 중국의 화웨이와 중신궈지가 올해 초 자가 정렬 4중 패턴화(SAQP: Self-Aligned Quadruple Patterning) 특허를 중국 당국에 신청했으며, 향후 두 업체는 구형 장비인 심자외선(DUV) 노광장비로 3nm 반도체 칩 생산이 가능하게 될 것으로 전망했다.

국가집적회로재료기술혁신센터에서 연구원이 생산 설비를 조절하고 있는 모습.

(출처: 신화사)

결국 중국 당국에게 반도체 국산화 전략은 외부적으로는 세계 강대국들의 견제에 대응하고, 내부적으로는 내수 중심형 반도체 산업 구조를 실현하여 국가 안보를 수호하는 데 있다. 실제로 중국 지도부는 지난해 3월 개막했던 전국 정치협상회의(중국 전국 정치협상회의) 전국인민대표 명단에 기존의 빅테크 출신 기업가들 대신 반도체 전문 제조기업 관련 경영진을 대거 포함시켰다.

SMIC(중신궈지), 화훙반도체, 산둥유옌반도체 소재 공사, 한우지 테크놀로지 등 칩 제조 기업 인사들이 양회에 대거 등장한 것은 최초의 사례였다. 이를 두고 로이터 통신 등 외신들은 일제히 ‘이는 중국 당국이 반도체 국산화 작업에 전력을 다하겠다는 의지를 보여준 것’이라며, ‘시진핑 주석이 반도체 제조 기업에 큰 관심을 기울이고 있음을 알 수 있는 대목’이라고 평가했다.

또한, 장후웨 홍콩대학 중국법률연구센터 주임은 “이들의 양회 참석은 중국 당국의 주요 정책 방향 전환을 의미한다”면서 “중국 정부가 과학기술 역량을 강화해 자급자족을 이루고 미국에 대한 경쟁력을 유지하려 한다”고 말했다.

현실적인 장벽은?

하지만 중국 당국이 궁극적인 목표를 현실화하기 위해서는 아직 갈 길이 멀다. 대규모 기금 펀드를 통한 투자 확대와 이 분야 기업에 대한 세제 혜택, 산학 연계 강화 등 반도체 산업의 해외 의존도를 낮추려는 중국 당국의 노력이 계속되고 있지만, 2022년 9월 기준으로 중국의 반도체 장비 국산화율은 단 35%에 불과하다. 특히 첨단 반도체에 필수적인 노광장비의 중국 국산화 수준은 기대 이하의 저조한 수준에 머물러 있다. 반면, 미국을 중심으로 한 선진국의 제재가 비교적 약한 반도체 설계 분야만이 고무적인 성장을 하고 있다는 지적이 꾸준히 이어지고 있다.

중국의 유일한 노광장비 업체인 상하이 마이크로전자(SMEE)는 국산 DUV(ArF 90nm)를 개발하였으나, 가장 최신의 ASML사 제품 대비 15년 정도의 기술 격차가 있으며, 국산화율은 단 3% 수준에 불과한 것으로 알려졌다. 중국의 반도체 국산화는 빠르게 진행되고 있지만, 물량 공세에 불과하다는 지적을 피할 수 없는 이유가 여기에 있다.

6대 국유 은행의 자금력을 동원한 중국 당국의 반도체 국산화 노력은 수년째 이어지고 있지만, 이러한 움직임이 경제적 합리성보다 국가 안보 이념에 치우쳐 있어 선진국과의 기술 격차를 뛰어넘기에는 역부족이라는 지적이 제기되고 있다. 이런 비판이 힘을 얻는 주요 원인은 중국 반도체 산업의 국산화가 여전히 구형, 저사양에 머물러 있기 때문이다.

또한, 중국에서 자국산 반도체 장비 기업의 시장 점유율은 2019년 4%에서 2023년 약 14%로 상승하는 데 그쳤다. 이에 대해 많은 HSBC 글로벌 리서치 전문가들은 중국이 공정 능력을 포함해 선진국과의 격차를 줄이려면 아직 수년이 걸릴 것으로 전망했다.

※ 위 원고는 현지 외부 전문가가 작성한 원고로, (사)경북PRIDE기업 CEO협회의 공식 의견이 아님을 알려드립니다.